Mosfet là gì? Công dụng và cách kiểm tra mosfet.

Trong bài này chúng ta sẽ tìm hiểu cấu tạo và nguyên lý hoạt động của mosfet. Đây là một linh kiện được sử dụng rất nhiều trong các mạch công xuất vừa.

Mosfet là gì?

Transistor hiệu ứng trường kim loại – oxit bán dẫn, viết tắt theo tiếng Anh là MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) là thuật ngữ chỉ các transistor hiệu ứng trường FET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic) tạo ra lớp cách điện mỏng giữa cực cổng (gate) kim loại với vùng bán dẫn hoạt động nối giữa cực nguồn (source) và cực máng (drain).

Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu. Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.

Lịch sử phát triển

Transistor hiệu ứng trường được Julius Edgar Lilienfeld đăng ký phát minh sáng chế đầu tiên năm 1926. Cùng thời đó có các nghiên cứu của Joseph Weber năm 1930, Oskar Heil năm 1934. Tuy nhiên linh kiện bán dẫn thực tế là JFET chỉ được phát triển sau khi nhóm của William Shockley tại Bell Labs quan sát và giải thích hiệu ứng transistor vào năm 1947, sau bằng sáng chế nói trên 20 năm khi bằng hết hiệu lực.

Loại JFET (junction field-effect transistor) đầu tiên là transistor cảm ứng tĩnh (SIT, static induction transistor), được các kỹ sư người Nhật Jun-ichi Nishizawa và Y. Watanabe phát minh năm 1950. Đó là một JFET với độ dài kênh ngắn. Các MOSFET được Dawon Kahng và Martin Atalla phát minh năm 1959.

Tuy nhiên cho đến những năm 1960 ứng dụng transistor trường còn rất hạn chế, chủ yếu là dùng JFET trong các khuếch đại analog có trở kháng ngõ vào cao và tiếng ồn thấp. Sự bùng nổ diễn ra ở thập niên đó, khi các MOSFET được dùng làm các công tắc logic trong điện tử số và có ảnh hưởng sâu sắc đến sự phát triển của ngành này. Ngày nay MOSFET là transistor cơ bản trong vi mạch số.

Cấu tạo Mosfet

Hình ảnh dưới đây cho thấy cấu trúc bên trong điển hình của MOSFET . Mặc dù MOSFET là một dạng FET nâng cao và hoạt động với ba thiết bị đầu cuối giống như FET nhưng cấu trúc bên trong của MOSFET thực sự khác với FET thông thường.

Cấu tạo:

• Gate (G): cực cổng. G là cực điều khiển được cách lý hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn còn lại bởi lớp điện môi cực mỏng nhưng có độ cách điện cực lớn dioxit-silic.
• Source (S) cực nguồn.
• Drain (D) cực máng đón các hạt mang điện.
• Chất nền.

Nếu bạn nhìn vào cấu trúc, bạn có thể thấy rằng cực cổng được cố định trên lớp kim loại mỏng được cách nhiệt bởi một lớp Silicon Dioxide (SiO2) từ chất bán dẫn và bạn sẽ có thể thấy hai chất bán dẫn loại N được cố định. trong vùng kênh nơi đặt các cực cống và nguồn. Kênh giữa cống và nguồn của MOSFET là loại N, ngược lại với kênh này, chất nền là bán dẫn loại P. Điều này giúp MOSFET phân cực ở cả hai cực, tích cực hoặc tiêu cực. Nếu cực cổng của MOSFET không được phân cực, nó sẽ ở trạng thái không dẫn điện, do đó MOSFET chủ yếu được sử dụng trong việc thiết kế các công tắc và cổng logic.

Mosfet có điện trở  ở giữa chân G với chân S và hơn nữa giữa chân G với chân D rất lớn, còn đối với điện trở giữa chân D và chân S thì lại phụ thuộc hoàn toàn vào điện áp chênh lệch giữa chân G với chân S (UGS).

Ký hiệu của Mosfet trong mạch điện

MOSFET là linh kiện có 4 bộ phận chính: Chân máng (Drain), chân nguồn (Source), chân cổng (Gate) và phần thân (Body). Phần thân được kết nối với chân nguồn nên nó hoạt động như một linh kiện 3 chân như bóng bán dẫn hiệu ứng trường. Qua đó ta thấy Mosfet này có chân tương đương với Transistor: Chân G tương đương với B. Chân D tương đương với chân C. Chân S tương đương với E.

Phân loại Mosfet và nguyên lý hoạt động của từng loại Mosfet

MOSFET được phân thành 2 loại dựa trên ứng dụng của chúng đó là MOSFET chế độ tăng cường (Enhancement Mode MOSFET) E-MOSFET và MOSFET chế độ suy giảm (Depletion Mode MOSFET) DE-MOSFET:

• E-MOSFET – MOSFET chế độ tăng cường.

Khi không có dòng điện chạy qua cực cổng, thiết bị sẽ không thể hoạt động, nhưng một khi có điện áp tối đa, khả năng hoạt động của thiết bị được tăng cường đáng kể. 

• DE-MOSFET – MOSFET chế độ suy giảm.

Khi không có điện áp chạy qua cực cổng, thiết bị có thể hoạt động ở mức tối đa. Trong khi đó, điện áp qua cực cổng  là dương hoặc âm thì khả năng hoạt động bị suy giảm.

Các MOSFET này được tiếp tục phân loại dựa loại chất liệu được sử dụng là kênh -N hay kênh – P:

Chế độ tăng cường kênh N (tắt)

Về nguyên lý thì hoạt động thì MOSFET kênh n kiểu tăng cường gần giống như MOSFET kênh p kiểu tăng cường cả hai chỉ khác nhau về mặt cấu tạo. Phần thân của MOSFET kênh n kiểu tăng cường được tạo bởi chất bán dẫn loại p pha tạp nhẹ, còn khu vực cực nguồn và cực máng pha tạp nhiều với tạp chất loại n. Ở đây ta cũng nối phần thân và cực nguồn với đất.

Khi đặt một điện áp dương ở cực cổng. Do điện tích dương ở cực cổng và hiệu ứng điện dung tương ứng, các electron của cơ chất loại p bị hút về phía cực cổng và tạo thành một lớp ion âm ngay bên dưới lớp điện môi bằng cách tái kết hợp electron tự do với lỗ trống.

Nếu tiếp tục tăng điện áp dương ở cực cổng đến điện áp ngưỡng, quá trình tái kết hợp sẽ bão hòa, các electron tự do sẽ bắt đầu tích lũy và tạo thành một kênh dẫn điện của các electron tự do.

Các electron tự do cũng đến từ khu vực pha tạp nhiều loại n của cực nguồn và cực máng.

Bây giờ nếu đặt một điện áp dương tại cực máng, dòng điện sẽ bắt đầu chạy qua kênh. Điện trở của kênh phụ thuộc vào số electron tự do trong kênh, số electron tự do lại phụ thuộc vào tiềm năng của cực cổng. Vì mật độ electron tự do tạo nên kênh, và dòng điện qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp ở cực cổng, chúng ta gọi MOSFET loại này là MOSFET kênh n kiểu tăng cường.

Điện trở của kênh phụ thuộc vào số electron tự do trong kênh, số electron tự do lại phụ thuộc vào tiềm năng của cực cổng. Vì mật độ electron tự do tạo nên kênh, và dòng điện qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp ở cực cổng.

Chế độ tăng cường kênh P (bật)

Tên viết tắt của nó là PMOS. Phần thân chính của thiết bị được tạo thành từ chất bán dẫn loại n có ít tạp chất như chất bán dẫn silicon hoặc gallium arsenide. Có 2 phần là chất bán dẫn loại p nằm cách nhau một khoảng L như hình bên dưới.

Một lớp mỏng oxit silic (SiO2) nằm phía trên lớp cơ chất (substrate). Người ta cũng có thể sử dụng Al2O3 nhưng SiO2 được sử dụng phổ biến hơn. Lớp mỏng này có tác dụng như một lớp điện môi. Phía trên lớp SiO2 là một lá nhôm. 

Lá nhôm, chất điện môi và cơ chất là chất bán dẫn tạo thành một tụ điện trong thiết bị.

Các cực gắn vào 2 phần chất bán dẫn loại p là cực nguồn và cực máng. Cực gắn với lá nhôm là cực cổng. Cực nguồn và thân của MOSFET được nối đất để dễ bổ sung hoặc rút các electron tự do theo yêu cầu trong quá trình làm việc của MOSFET.

Khi đặt một điện áp âm lên cực cổng. Nó sẽ tạo một điện thế âm tĩnh ở lá nhôm của tụ điện. Do tính điện dung, điện tích dương sẽ tích lũy bên dưới lớp điện môi. Các electron tự do của chất nền loại n sẽ bị dịch chuyển do lực đẩy của tấm âm và một lớp ion dương sẽ xuất hiện.

Nếu chúng ta tiếp tục tăng điện áp âm tại cực cổng đến điện áp ngưỡng, do lực tĩnh điện, liên kết hóa trị của tinh thể bên dưới lớp SiO2 bắt đầu bị phá vỡ. Các cặp electron – lỗ trống (electron-hole pairs) được tạo ra ở đó. Các lỗ trống bị hút và electron bị đẩy bởi điện tích âm của cực cổng. Mật độ lỗ trống tăng lên tạo nên một vùng lỗ trống từ khu vực cực nguồn đến cực máng. Do sự tập trung của lỗ trống, vùng này có tính dẫn điện và dòng điện có thể đi qua.

Khi đặt một điện áp âm tại cực máng, điện áp này làm giảm sự chênh áp giữa cực cổng và cực máng làm cho phạm vi của kênh dẫn điện giảm ở cực cổng như hình bên dưới. Đồng thời dòng điện sẽ đi từ cực nguồn đến cực máng thể hiện bằng hình mũi tên bên dưới.

Kênh tạo ra ở MOSFET cung cấp một điện trở từ cực nguồn đến cực máng. Điện trở của kênh phụ thuộc vào tiết diện (cross-section) của kênh, tiết diện của kênh lại tùy thuộc vào điện áp âm ở cực cổng. Như vậy chúng ta có thể điều khiển dòng điện từ cực nguồn đến cực máng bằng điện áp ở cực cổng. Bởi vì mật độ lỗ trống tạo thành kênh và dòng điện đi qua kênh được tăng cường khi tăng điện áp âm ở cực cổng nên ta gọi MOSFET này là MOSFET kênh p kiểu tăng cường.

Chế độ suy giảm kênh N (tắt)

Nguyên lý hoạt động của MOSFET suy giảm có hơi khác so với MOSFET tăng cường. Cơ chất của MOSFET kênh n kiểu suy giảm là chất bán dẫn loại p. Khu vực ở cực nguồn và cực máng là chất bán dẫn loại n pha tạp.

Nếu chúng ta đặt một hiệu điện thế giữa cực nguồn và cực máng sẽ có một dòng điện chạy qua toàn bộ vùng n của cơ chất.

Khi đặt một điện áp âm ở cực cổng, do hiệu ứng điện dung, các electron tự do bị đẩy và di chuyển xuống vùng n bên dưới lớp điện môi SiO2. Kết quả là sẽ có các lớp ion điện tích dương bên dưới lớp SiO2. Bằng cách này sẽ tạo ra sự suy giảm (depletion) các phần tử mang điện tích trong kênh và làm cho độ dẫn điện tổng thể của kênh bị suy giảm. Trong tình huống này dòng điện ở cực máng sẽ giảm với cùng một điện áp ở cực máng.

Có nghĩa là chúng ta có thể kiểm soát dòng điện ở cực máng bằng cách thay đổi sự suy giảm các hạt mang điện trong kênh, do đó chúng ta gọi nó là MOSFET suy giảm. Ở đây cực máng đang có điện thế dương, cực cổng điện thế âm và cực nguồn điện thế bằng 0. Vì vậy hiệu số điện áp giữa cực máng và cực cổng lớn hơn giữa cực nguồn và cực cổng. Chiều rộng của lớp suy giảm về phía cực máng sẽ lớn hơn về phía cực nguồn.

Chế độ suy giảm kênh P (bật)

MOSFET kênh p kiểu suy giảm thì ngược lại với MOSFET kênh n kiểu suy giảm. Ở đây kênh dẫn điện được tạo thành từ tạp chất loại p ở giữa khu vực cực nguồn và cực máng pha tạp nhiều chất bán dẫn loại p.

Khi đặt một điện áp dương ở cực cổng, các electron tự do của vùng loại p bị hút và tạo thành các ion âm tĩnh. Một vùng suy giảm được tạo thành trong kênh và độ dẫn điện của kênh bị giảm. Bằng cách này, khi đặt một điện áp dương ở cực cổng chúng ta có thể điều khiển dòng điện ở cực máng.

Điểm khác biệt giữa MOSFET kênh N và MOSFET kênh P đó là ở kênh N, công tắc MOSFET sẽ luôn mở cho đến khi cực cổng được cung cấp điện áp. Lúc đó, công tắc sẽ được đóng lại. Ngược lại, công tắc MOSFET kênh P sẽ luôn đóng cho đến khi được cung cấp điện. 

Tương tự, điểm khác biệt giữa MOSFET chế độ tăng cường và chế độ suy giảm đó là điệp áp ở cực cổng MOSFET chế độ tăng cường luôn ở trạng thái dương, trong khi đó cực cổng MOSFET ở chế độ suy giảm có thể âm hoặc dương. 

Các đặc tính của Mosfet

DE-MOSFET – MOSFET chế độ suy giảm

Khi UGS = 0V:

• Trường hợp này kênh dẫn điện có tác dụng như một điện trở, khi tăng điện áp UDS thì dòng ID tăng lên đến một trí số giới hạn IDss (dòng ID bão hòa).
• Điện áp UDS ở trị số IDss cũng gọi là điện áp ngắt giống JFET.

Khi UGS < 0V:

• Khi này cực G có điện thế âm nên đẩy các điện trở kênh N vào vùng nền P làm thu hẹp tiết diện kênh dẫn điện N và dòng ID bị giảm xuống do điện trở kênh dẫn điện tăng lên. Khi tăng điện thế âm ở cực G thì dòng ID càng nhỏ và đến một trị số giới hạn dòng ID gần như không còn, điện thế này ở cực G gọi là điện thế ngắt Up.

Khi UGS > 0V:

• Khi phân cực cho cực G có điện thế dương thì các điện tử thiểu số ở miền P bị hút vào vùng N nên làm tăng tiết diện kênh, điện trở kênh bị giảm xuống và dòng ID tăng cao hơn trị số bão hoà IDss. Trường hợp này dòng ID lớn dễ làm hỏng Mosfet nên ít được sử dụng.
• Cấu tạo và ký hiệu Mosfet suy giảm kênh N

Đặc tuyến ra ID/UDS và đặc tuyến truyền đạt ID/UGS của Mosfet suy giảm kênh N.

Cấu tạo và ký hiệu Mosfet suy giảm kênh P

Đặc tuyến ra ID/UDS và đặc tuyến truyền đạt ID/UGS của Mosfet suy giảm kênh P.

E-MOSFET – MOSFET chế độ tăng cường

Do cấu tạo kênh bị gián đoạn nên bình thường không có dòng điện qua kênh, ID = 0 và điện trở giữa D và S rất lớn

• Cấu tạo và đặc tuyến của E-Mosfet tăng cường kênh N

Khi UGS > UGS(th) thì dòng ID và UGS có quan hệ với nhau theo công thức:

Mosfet tăng cường kênh P tương tự như Mosfet tăng cường kênh N:

Cấu tạo và đặc tuyến của EMosfet kênh P

Các chế độ hoạt động của Mosfet

Hoạt động của MOSFET có thể được chia thành 3 chế độ khác nhau: 

• Chế độ Cut-off – chế độ dưới ngưỡng giới hạn: Thiết bị luôn được đặt ở chế độ Tắt (OFF) và không có dòng điện chạy qua nó. Thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc cơ bản và chỉ sử dụng khi cần thiết. 
• Chế độ bão hòa (Saturation): Ở chế độ này, cực máng sẽ đảm bảo điện áp được giữ ổn định, dù điện áp giữa cực máng và cực muốn tăng lên. Cơ chế này chỉ diễn ra khi điện áp chạy giữa cực máng và cực nguồn vượt quá định mức cho phép. Trong trường hợp này, thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc khép kín với dòng điện được bão hòa. 
• Chế độ tuyến tính (Linear/Ohmic Region): Đây là chế độ mà dòng điện giữa cực máng đến cực nguồn tăng lên theo mức gia tăng của điện áp. MOSFET loại này thường thực hiện chức năng khuếch đại. 

Các thiết bị bán dẫn như MOSFET hay BJT về cơ bản hoạt động như một công tắc trong 2 trường hợp ở trạng thái Bật (ON) và trạng thái Tắt (OFF): 

• Ở trạng thái Bật, chúng phải có giới hạn điện mức có thể chạy qua. 
• Ở trạng thái Tắt, mức điện áp cản (Blocking voltage) không có một giới hạn nào. 
• Khi thiết bị hoạt động ở trạng thái Bật, giá trị sụt áp về mức 0. 
• Điện trở ở trạng thái Tắt phải là vô hạn. 
• Chúng không có giới hạn nào về tốc độ hoạt động.

Các thông số cần lưu ý và các khái niệm liên quan

Các thông số cần lưu ý khi sử dụng Mosfet.

• UDS max  : Điện áp chịu đựng lớn nhất đặt vào chân D và S.
• UGS          : Điện áp để đóng mở Mosfet.
• ID max     : Dòng điện tối đa mà Mosfet có thể chịu đựng được.
• Pmax        : Công suất tiêu tán của Mosfet khi làm việc.
• F cắt max : Tần số cắt của Mosfet.

Các khái niệm liên quan đến Mosfet

Sò Mosfet là gì?

• Sò là một linh kiện bán dẫn được sử dụng trong amply và kết hợp với IC. Sò trong amply có thể kết hợp với một tỷ Transistor trên một diện tích nhỏ, đồng thời quyết định công suất amply giúp khuếch đại tín hiệu một cách hoàn hảo hơn.
• Sò Mosfet viết tắt là Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, là Transistor hiệu ứng trường có cấu tạo và hoạt động không giống với Transistor thông thường, được sử dụng như một thiết bị khuếch đại hay một khóa điện tử.

Power Mosfet là gì?

• Power Mosfet hay còn gọi là Mosfet công suất lớn là một biến thể dẫn xuất có cấu trúc bán dẫn,có thể điều khiển bằng điện áp với dòng điện điều khiển cực nhỏ.

Driver Mosfet là gì?

• Driver Mosfet là trình điều khiển dùng điện áp thấp và cấp dòng điện cho các thiết bị điện công suất như Mosfet hay IGBT…

Ưu điểm và nhược điểm của Mosfet

Ưu điểm

• MOSFET cung cấp hiệu quả cao hơn trong khi hoạt động ở điện áp thấp hơn.
• Sự vắng mặt của dòng điện cực gate dẫn đến trở kháng đầu vào cao tạo ra tốc độ chuyển mạch cao.
• Hoạt động ở công suất thấp hơn và không có dòng điện.
• Có trở kháng đầu vào cao hơn nhiều so với JFET.
• Chế tạo, sản xuất MOSFET dễ dàng hơn JFET.
• Tốc độ hoạt động cao hơn so với JFET.
• Khả năng tùy biến kích thước rất cao.
• MOSFET không có diode cổng. Điều này làm cho nó có thể hoạt động với điện áp cổng dương hoặc âm.
• Nó có mức tiêu thụ điện năng thấp để cho phép nhiều thành phần hơn trên diện tích bề mặt chip.

Nhược điểm

• Lớp oxit mỏng làm cho các MOSFET dễ bị hỏng bởi các điện tích tĩnh điện (tuổi thọ thấp).
• Điện áp quá tải làm cho nó không ổn định.
• Không hoạt động tốt trong tần số vô tuyến tín hiệu thấp.

Ứng dụng của Mosfet

Mosfet được ứng dụng rất nhiều trong các mạch công xuất như mạch nguyền, mạch điều khiển tải….

Sự ra đời của MOSFET cho phép sử dụng các bóng bán dẫn MOSFET làm thành phần lưu trữ tế bào bộ nhớ, một chức năng trước đây được phục vụ bởi các lõi từ tính trong bộ nhớ máy tính.

Cách mắc mosfet

Ứng dụng phổ biến của MOSFET nằm ở công tắc điện. Hình ảnh bên dưới là bản vẽ của MOSFET hoạt động với chức năng Bật/Tắt. Khi Điện áp đầu vào ở cực cổng VGS giữa G và S dương, động cơ sẽ ở trạng thái Bật và ngược lại khi điện áp âm, động cơ sẽ ở trạng thái Tắt. 

Trường hợp chúng ta bật MOSFET bằng cách cung cấp lượng điện áp cần cho cực cổng, nó sẽ luôn ở trạng thái bật trừ khi áp dụng lượng điện áp 0V. Để tránh vấn đề này xảy ra, chúng ta nên luôn sử dụng điện trở kéo xuống (R1). Trong các ứng dụng để điều khiển tốc độ động cơ hay làm mờ đèn, chúng ta có thể sử dụng tín hiệu PWN chuyển đổi nhanh. Trong trường hợp này, cực cổng của MOSFET sẽ tạo ra một dòng điện ngược chiều nhờ hiệu ứng điện dung ký sinh. Cách giải quyết vấn đề này là chúng ta sử dụng tụ điện có giới hạn dòng. 

Tải điện trên là loại tải điện trở nên mạch của chúng rất đơn giản. Nếu áp dụng tải điện cảm hoặc tải điện dung, chúng ta nên sử dụng các thiết bị bảo vệ MOSFET không bị hư hỏng. Lý do là vì khi sử dụng tải điện dung mà không có điện tích thì sẽ dẫn đến sự cố ngắn mạch. Điều này sẽ làm dòng điện tăng cao và khi điện áp được ngắt khỏi tải điện sẽ có một lượng lớn điện áp ngược được tích tụ trong mạch. 

Cách kiểm tra Mosfet

Cách xác định chân của Mosfet.

Thông thường thì chân của Mosfet có quy định chung không như Transitor. Chân của Mosfet được quy định:  chân G ở bên trái, chân S ở bên phải còn chân D ở giữa.

Dụng cụ chuẩn bị để kiểm tra Mosfet.

Một đồng hồ vạn năng với 2 que đo, để đồng hồ thang x1KΩ, kiểm tra dây đo còn tốt, dụng cụ kẹp linh kiện cố định hay miếng lót cách điện. Trước khi đo Mosfet – FET (FET) dùng dây dẫn hay tô vít nối tắt 3 chân của Mosfet – FET lại để khử hết điện tích trên các chân (lý do FET là linh kiện rất nhạy cảm, điện tích trên các chân có thể ảnh hưởng đến kết quả đo).

Mosfet còn tốt.

• Là khi đo trở kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở bằng vô cùng ( kim không lên cả hai chiều đo).
• Và khi G đã được thoát điện thì trở kháng giữa D và S phải là vô cùng.

Hướng dẫn cách đo

Mosfet còn tốt.

• Bước 1: Chuẩn bị để thang đo x1KW

• Bước 2: Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc D )

• Bước 3: Sau khi nạp cho G một điện tích  ta đo giữa D và S ( que đen vào D que đỏ vào S  ) => kim sẽ lên.

• Bước 4: Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G.

• Bước 5: Sau khi đã thoát điện chân G đo lại DS như bước 3 kim không lên

• Kết quả kiểm tra MOSFET như vậy cho ta thấy Mosfet còn tốt.

Mosfet bị hỏng.

• Bước 1: Để đồng hồ thang x 1KW

• Bước 2: Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W là chập

• Bước 3: Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W  là chập  D S

• Kết quả kiểm tra MOSFET như vậy cho thấy Mosfet đã hỏng.

Đo kiểm tra Mosfet trong mạch.

Khi kiểm tra MOSFET trong mạch, Ta chỉ cần để thang x1W

Đo giữa D và S:

• Nếu 1 chiều kim lên đảo chiều đo kim không lên => là Mosfet bình thường.
• Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W  là Mosfet bị chập DS.

Đo nhanh và xem khả năng mở kênh của Mosfet.

Kiểm tra Mosfet kênh N

• Bước 1: Đặt thang x10K, đặt Mosfet lên vật cách điện hay kẹp chặt bằng dụng cụ không dẫn điện
• Bước 2: Đặt que đỏ vào cực S, que đen vào cực D, thông thường VOM sẽ chỉ một giá trị nào đó (do điện tích còn tồn tại trên chân G làm mở)
• Bước 3: Giữ que đo như ở bước 2, chạm ngón tay từ cực G sang cực D sẽ thấy kim nhích lên (thường gần bằng 0), chạm tay từ G sang S sẽ thấy kim tụt đi (có trường hợp tụt gần về vô cùng). Để thấy kim thay đổi nhiều hơn thì hay để ngón tay chạm dính nước hoặc chạm vào đầu lưỡi vào cực G

Với kết quả này chứng tỏ đó là Mosfet còn sống, nếu ko có thay đổi là Mosfet chết.

Kiểm tra Mosfet kênh P

Với Mosfet kênh P cách đo các bạn thực hiện tương tự như đối với Mosfet kênh N nhưng cần đảo que đo.

Bảng tra cứu các loại Mosfet thông dụng

Chú ý khi sử dụng Mosfet

• Điện áp kích cho Mosfet phải là dòng điện áp sạch và nằm trong phạm vi được sử dụng
• Theo đặc tính, Mosfet được sử dụng trong các ứng dụng đòi hỏi tốc độ cao.

Kết 

Mosfet là một thành phần không thể thiếu trong các mạch công xuất, các loại bộ nhớ có thể xóa. Điều khiển mosfet cũng tương đối đơn giản nên được ứng dụng rất nhiều trong thực tế.

Nếu cảm thấy bài viết có ích hay đánh giá và chia sẻ cho bạn bè. Đừng quên tham gia nhóm Nghiện lập trình để cùng trao đổi và kết nối nhé!